随着不断发展的电子设备小型化、超薄化的需求，半导体器件的封装技术也高速进化。
由于可见光无法穿透硅片，常规光学检测技术往往只能检验表面缺陷或观察硅片表面的电子线路，无法观测硅片内部缺陷或检验已封装芯片内部电子线路。
现在，SOPTOP推出全新工业显微成像系统——NIR-MX68R，利用近红外波段绕射及穿透能力强、吸收率低的特点，可穿透一定厚度的覆盖片，实现芯片内部的无损检测。
NIR-MX68R近红外工业显微成像系统配备了5X-50X专业红外物镜，提供了从可见光到近红外波长的像差校正，适用于常规明场及专用红外的观察。
对于高倍数值孔径较大的物镜，增加了校正环，可校正由覆盖片厚度不同引起的像差，实现近红外波段的高清晰精准检测。
NIR-MX68R采用宽光谱专用红外相机，搭配带通式滤色片，实现对硅片内部芯片不同部分的响应，以满足不同客户的需求。
▲分别在带通1100nm、1200nm、1300nm下获得的图像
NIR-MX68R采用Mvimage专用图像软件，在常规图像管理、测量、图像采集、图层管理等功能模块上，增加了红外特有的图像增加功能和自动检测功能。
图像增强功能：
实时拉伸算法，具有图像增强功能，提高图像清晰度，局部细节更明显。
AI软件赋能：
自主开发的可根据检测样品的缺陷进行AI自主学习的功能，进行自动缺陷识别、抓取、计数统计等功能。同时，可根据客户的不同需求进行定制。
红外功能附件按模块化式开发，可以根据客户端不同的需求，顺利搭载到我司其他金相显微镜或晶圆检查系统等产品，以满足客户端4-12寸不同规格的晶圆检测，为客户提供更多的解决方案。
NIR-MX68R可应用在晶砖及硅晶体检测、晶圆检验及封装、光伏发电等多种半导体检测领域。
▲ 不同应用领域典型案例
左：硅基半导体Wafer、碲化镉CdTe等化合物衬底缺陷无损检测
中：隐裂、InGaAs瑕疵红外无损检测
右：太阳能电池组件综合缺陷红外检测
